4 月 10 日消息，韩媒 Sedaily 于 4 月 8 日发布博文，报道称在美国新关税政策的不确定性下，存储巨头们并未放缓脚步，反而加速角逐 HBM3E 市场。
援引博文报道，三星调整了 HBM3E 产品设计，计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8H 版本。另一家韩国媒体 EBN 透露，若进展顺利，三星 12 层 HBM3E 有望 5 月获得英伟达认证。
SK 海力士长期称霸 HBM 市场，但美光正迎头赶上。另一家韩媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通过 12 层 HBM3E 验证，并开始交付，支持英伟达最新 B300 产品。
该媒体分析认为美光的 DRAM 总产能虽然不及 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先进工艺占比更高。这让美光在产品质量上占优，尤其在 HBM 关键的散热管理方面表现突出。
此外存储巨头也在加速推进 HBM4 竞赛。三星计划 2025 年实现 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 工艺尚未成熟，目标充满挑战。
Business Korea 早前提到，美光预计 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年生产的 HBM 多为 12 层产品。两大巨头在技术升级上各有布局，未来竞争将更激烈。
该内容转自IT之家
本文共 301 个字数,平均阅读时长 ≈ 1分钟
喜欢就支持一下吧
本站为个人博客，博客所发布的一切破解补丁、注册机和注册信息及软件的文章仅限用于学习和研究目的。
不得将上述内容用于商业或者非法用途，否则，一切后果请用户自负。
本站信息来自网络，版权争议与本站无关，您必须在下载后的24个小时之内从您的电脑中彻底删除上述内容。
访问和下载本站内容，说明您已同意上述条款。
本站不贩卖软件，所有内容不作为商业行为。如果有侵犯您的权益请点击“关于”联系WFXL，核实后会及时删除
版权属于：新闻发布
作品采用《署名-非商业性使用-相同方式共享 4.0 国际 (CC BY-NC-SA 4.0)》许可协议授权
评论 抢沙发
