3 月 13 日消息，韩媒 FNnews 昨日（3 月 12 日）发布博文，报道称英伟达高管于 3 月 10 日访问了三星电子位于天安的封装工厂，审计和测试第五代高带宽内存 HBM3E。
三星计划在今年第一季度末向主要客户供应 HBM3E 8 层产品，并力争在上半年完成 12 层产品的交付。为应对紧张的交付期限，三星甚至将研发下一代 HBM4 的部分人力投入到 HBM3E 项目中，此次访问被认为 HBM3E 供应进入最后冲刺阶段。
援引博文介绍，英伟达高管于 3 月 10 日访问三星天安工厂，重点审计 HBM3E 的封装工艺。这是继 2024 年 12 月第一次实地考察后的第二次访问，表明英伟达高度重视产品质量。
三星在上月的财报电话会议中表示，计划在 2025 年第 1 季度末向“关键客户”供应 HBM3E（8 层）产品，并计划在今年上半年内交付 HBM3E 12 层芯片，以满足客户需求。
报道称三星为提升 HBM3E 的良率和稳定性，甚至将原本专注于下一代 HBM4 的研发团队调至 HBM3E 项目，此外，三星还在优化先进 DRAM 的良率，以确保交付顺利进行。
HBM3E 作为高带宽内存领域的关键产品，其供应情况将直接影响三星与 SK 海力士在 HBM 市场的竞争格局。三星原本将 HBM4 视为市场决胜点，但由于客户需求迅速转向 HBM3E 12 层产品，公司目前优先聚焦于 HBM3E 的质量测试和交付，此次英伟达的审计结果，将决定三星能否在激烈的市场竞争中占据有利位置。
该内容转自IT之家
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