突破 70%！消息称 SK 海力士 HBM4 测试良率再创新高，量产指日可待

2 月 27 日消息，韩媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）发布博文，报道称 SK 海力士的第 6 代 12 层堆叠高带宽内存 HBM4 测试良率已达 70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基础，也预示着 SK 海力士在 HBM4 市场竞争中占据有利地位。

注：良率作为衡量半导体良品比例的关键指标，直接关系到企业的市场竞争力。SK 海力士的 12 层堆叠 HBM4 在 2024 年年底良率已达到 60%，而最新消息称测试良率已提升至 70%，进展迅速。

消息称 SK 海力士 HBM4 的进展，得益于其第五代 10nm 级 DRAM（1b）的应用，该技术在性能和稳定性方面已经过验证，并且也用于 SK 海力士的 HBM3e 产品。

鉴于 HBM3E 曾实现 80% 的目标良率并缩短 50% 的量产时间，业内人士预测 HBM4 12 层堆叠产品也将快速进入量产阶段。SK 海力士目前已完成内部技术开发和评估，即将提供样品进行客户性能测试，通过后即可启动量产。

12 层堆叠 HBM4 有望部署在代号为英伟达下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列中，而此前曝料称英伟达计划提前至 2025 年下半年量产“Grace Hopper”系列，这可能促使 SK 海力士进一步加快提升 HBM4 良率和量产进程，以满足客户需求。

该内容转自IT之家