消息称三星电子已规划在 1d nm 传统结构内存后导入 VCT DRAM 技术

4 月 28 日消息，韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称，三星电子内部已制定了在第 7 代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1d nm 后即导入 VCT 垂直通道晶体管技术的路线图，相关产品有望最早于 2~3 年内面世。

据悉三星电子在 1d nm 后的下代 DRAM 工艺上曾考虑过 1e nm 和 VCT DRAM 两种选择，最终选择了有望“改变游戏规则”的后者，并将 1e nm 先行研究组织合并到 1d nm 团队中以推进 1d nm 的开发。

报道指出，VCT DRAM 固然可通过对三维空间的有效利用大幅度提升存储密度，但这一技术也面临着巨大的开发难度：一方面，其需要跨越传统内存技术的壁垒；另一方面，该类型内存需要未在现有 DRAM 中应用的先进封装工艺。

另一方面，报道还称三星电子在 DRAM 业务中的最大竞争对手 SK 海力士目前的大致规划是 1d nm -> 0a nm -> VG DRAM（注：SK 海力士对 3D DRAM 的称呼）。

该内容转自IT之家